刘猛
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李顺
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白书欣
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赵恂
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熊德赣
材料导报
详细介绍了SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法及应用情况,目前国内外SiC/Cu电子封装材料的主要制备方法有粉末冶金法、放电等离子烧结法、无压浸渗法、压力浸渗法和反应熔渗法,其中包覆粉末热压烧结法和压力浸渗法是目前研发应用较广泛的两种方法.分析了SiC与Cu之间的界面反应机理,并指明SiCp/Cu电子封装材料的制备要解决的主要问题就是在SiC与Cu之间设置界面阻挡层,进而详细阐述了SiCp/Cu电子封装材料主要界面改性方法及其调控效果,并指出目前应用最好的两种方法是物理气相沉积法和化学气相沉积法.
关键词:
电子封装材料
,
SiCp/Cu
,
制备方法
,
界面反应
,
界面调控
程挺宇
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熊宁
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吴诚
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秦思贵
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凌贤野
机械工程材料
采用不同轧制复合工艺制备了铜/钼/铜复合板;利用超声检测仪、万能材料试验机等研究了首道次压下率和退火温度对复合板结合强度及热导率的影响,在此基础上确定了其轧制复合工艺.结果表明:采用首道次压下率为60%、退火温度为700℃、保温时间为60 min的是较理想的工艺,其界面结合强度可达到80 N·mm~(-1),其厚度方向的热导率为210 W·m~(-1)·K~(-1).
关键词:
电子封装材料
,
退火
,
压下率
,
铜
,
钼
方萌
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胡玲
,
杨磊
,
史常东
,
吴玉程
,
汤文明
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.11.029
高硅 SiCp/Al 复合材料化学镀镍是其表面金属化的关键步骤,化学镀前的敏化工艺易造成该复合材料表面Al 合金的过度腐蚀,形成腐蚀孔洞缺陷,金属化后的试样表面粗糙度增加,并对后续的钎焊工艺产生不利影响.本文采用 SnCl2＋HCl 溶液对高硅SiCp/Al复合材料进行敏化处理,研究了敏化时间和敏化液浓度对试样表面质量的影响.结果表明,敏化0．5 min 后试样表面 Al 合金腐蚀程度小,沉积的Sn(OH)2颗粒数量少.敏化1．5 min 以上,试样表面Sn(OH)2颗粒数量多,但 Al 合金完全腐蚀,留下大而深的腐蚀孔洞；降低敏化液浓度也不能明显提高敏化试样的表面质量.敏化1．0 min 后,试样表面 Al 合金连续分布,无大而深的腐蚀孔洞,Sn(OH)2颗粒数量适中.经过1 min敏化的高硅 SiCp/Al 复合材料试样表面化学镀层质量良好.
关键词:
电子封装材料
,
高硅 SiCp/Al复合材料
,
化学镀
,
敏化
,
腐蚀
